หลักการจัดเรียงอิเล็กตรอน
ทีมงานทรูปลูกปัญญา
|
15 พ.ค. 67
 | 1.4K views



การจัดเรียงอิเล็กตรอนมีความสัมพันธ์กับการบอกหมู่และคาบ โดยเวเลนซ์อิเล็กตรอนจะตรงกับเลขที่ของหมู่ ดังนั้นธาตุที่อยู่หมู่เดียวกันจะมีเวเลนซ์อิเล็กตรอนเท่ากัน และจำนวนระดับพลังงานจะตรงกับเลขที่ของคาบ ดังนั้นธาตุในคาบเดียวกันจะมีจำนวนระดับพลังงานเท่ากัน โดยนอกจากการจัดเรียงอิเล็กตรอนในระดับชั้นพลังงานหลัก ยังมีการจัดเรียงอิเล็กตรอนในระดับพลังงานย่อย โดยอาศัยหลักการกีดกันของเพาลี กฎของฮุนด์ และการบรรจุอิเล็กตรอนแบบเต็มและแบบครึ่ง เพื่อให้จัดเรียงอิเล็กตรอนได้ในระดับพลังงานที่เสถียรที่สุด

 

หลักการจัดเรียงอิเล็กตรอนในระดับพลังงานหลัก มีดังนี้

1. จะต้องจัดเรียงอิเล็กตรอนเข้าไปในระดับพลังงานต่ำสุดให้เต็มก่อนจึงจัดให้อยู่ในระดับพลังงานถัดไป

2. เวเลนซ์อิเล็กตรอนจะเกิน 8 ไม่ได้

3. จำนวนอิเล็กตรอนในระดับพลังงานถัดเข้าไปของธาตุในหมู่ IA, IIA เท่ากับ 8 ส่วนหมู่ IIA – VIIIA เท่ากับ 18

 

หลักการจัดเรียงอิเล็กตรอนในระดับพลังงานย่อย ต้องอาศัยหลักการต่าง ๆ ดังนี้

1. หลักการกีดกันของเพาลี (Pauli exclusion principle) 

หลักการนี้กล่าวว่า ในการจัดเรียงอิเล็กตรอนลงในแต่ละออร์บิทัลนั้น สามารถจัดเรียงอิเล็กตรอนได้มากที่สุดเพียง 2 อิเล็กตรอนเท่านั้น และทั้ง 2 อิเล็กตรอนจะต้องมีสมบัติที่แตกต่างกัน คือ อิเล็กตรอนคู่นั้นต้องมีทิศทางของอิเล็กตรอนต่างกัน โดยถ้ามีอิเล็กตรอนตัวหนึ่งมีทิศทางขึ้นแล้ว อิเล็กตรอนอีกตัวหนึ่งต้องมีทิศทางลม
 

การเขียนสัญลักษณ์แสดงอิเล็กตรอนจะสามารถเขียนได้ดังนี้

 

เรียกการจัดเรียงแบบนี้ว่า อิเล็กตรอนคู่ นั่นคือมี 2 อิเล็กตรอนในออร์บิทัล หัวลูกศรชี้ไปในทิศตรงข้ามกัน หากเขียนสัญลักษณ์ของหัวลูกศรชี้ไปในทิศทางเดียวกัน จะไม่สอดคล้องกับหลักการกีดกันของเพาลี แต่หากมีอิเล็กตรอนเพียงตัวเดียว สามารถเขียนแสดงลูกศรเพียงตัวเดียว โดยหัวลูกศร จะชี้ขึ้นหรือชี้ลงก็ได้ 

 

2. หลักอาฟบาว (Aufbau principle)

หลักการนี้กล่าวว่า การจัดเรียงอิเล็กตรอนลงในแต่ละออร์บิทัลจะต้องจัดเรียงลงในออร์บิทัลที่มีพลังงานงานต่ำสุดก่อน แล้วจึงจัดเรียงลงในออร์บิทัลถัดไปที่มีพลังงานสูงขึ้น

 

3. การบรรจุอิเล็กตรอนแบบเต็มและแบบครึ่ง

การบรรจุอิเล็กตรอนจนเต็มในทุกออร์บิทัลที่มีพลังงานเท่ากัน เรียกว่า การบรรจุแบบเต็ม ซึ่งจะส่งผลให้ออร์บิทัลนั้นมีความเสถียรมากที่สุด และการบรรจุอิเล็กตรอนลงในออร์บิทัลที่ทำให้ออร์บิทัลมีความเสถียรรองลงมา คือ การบรรจุอิเล็กตรอนอยู่เพียงครึ่งเดียวเหมือนกันทั้งหมดในทุกออร์บิทัลที่มีพลังงานเท่ากัน ซึ่งเรียกการบรรจุแบบนี้ว่า การบรรจุแบบครึ่ง 

 

ทั้งนี้เพื่อความสะดวกในการเขียนสัญลักษณ์แสดงการจัดเรียงอิเล็กตรอนในออร์บิทัล สามารถเขียนได้เป็น 1s1 โดยมีความหมายดังนี้

                            จำนวนอิเล็กตรอนในออร์บิทัล

    ระดับชั้นพลังงานหลัก        1s1

                            สัญลักษณ์ที่ใช้แทนออร์บิทัล

ตารางแสดงการจัดเรียงอิเล็กตรอนในระดับชั้นพลังงานย่อยของธาตุบางชนิด

เลขอะตอม

สัญลักษณ์ธาตุ

การจัดเรียงอิเล็กตรอนในระดับชั้นพลังงานย่อย

1

H

1s1

2

He

[1s2]

3

Li

[He] 2s1

4

Be

[He] 2s2

5

B

[He] 2s2 2p1

6

C

[He] 2s2 2p2

11

Na

[Ne] 3s1

12

Mg

[Ne] 3s2

13

Al

[Ne] 3s2 3p1

14

Si

[Ne] 3s2 3p2

15

P

[Ne] 3s2 3p3

19

K

[Ar] 4s1

20

Ca

[Ar] 4s2

21

Sc

[Ar] 4s2 3d1

22

Ti

[Ar] 4s2 3d2

23

V

[Ar] 4s2 3d3

 

สรุปหลักการจัดเรียงอิเล็กตรอนในอะตอม

1. อิเล็กตรอนที่อยู่ในระดับชั้นพลังงานนอกสุด เรียกว่า เวเลนซ์อิเล็กตรอน (valence electron) ซึ่งมีค่าไม่เกิน 8

2. เมื่อมีการจัดเรียงอิเล็กตรอนมากขึ้น สามารถเขียนแบบย่อได้ โดยเขียนธาตุหมู่ VIIIA แล้วตามด้วยจำนวนอิเล็กตรอนที่เหลือ 

3. ในกรณีของธาตุที่มีเลขอะตอมตั้งแต่ 21 – 30 (Sc – Zn) จะมีการจัดเรียงอิเล็กตรอนที่แตกต่างจากธาตุ 20 ตัวแรก เพราะธาตุทั้ง 10 ตัวนี้เป็นธาตุในกลุ่มแทรนซิชัน แต่อย่างไรก็ตามธาตุทั้ง 10 ตัวนี้ยังคงมีการจัดเรียงอิเล็กตรอนตามหลักการจัดเรียงอิเล็กตรอนเช่นกัน

 

ปิตุพร พิมพาเพชร